| Наш телефон: +7 (383) 3630457 |
| | 29.045 Полупроводниковые материалы- ГОСТ 19014.0-73 Кремний кристаллический. Общие требования к методам химического анализа
- ГОСТ 19014.1-73 Кремний кристаллический. Методы определения алюминия
- ГОСТ 19014.2-73 Кремний кристаллический. Методы определения железа
- ГОСТ 19014.3-73 Кремний кристаллический. Методы определения кальция
- ГОСТ 19014.4-73 Кремний кристаллический. Методы определения титана
- ГОСТ 19658-81 Кремний монокристаллический в слитках. Технические условия
- ГОСТ 2169-69 Кремний технический. Технические условия
- ГОСТ 22265-76 Материалы проводниковые. Термины и определения
- ГОСТ 22622-77 Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров
- ГОСТ 26239.0-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Общие требования к методам анализа
- ГОСТ 26239.1-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей
- ГОСТ 26239.2-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения бора
- ГОСТ 26239.3-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения фосфора
- ГОСТ 26239.5-84 Кремний полупроводниковый и кварц. Метод определения примесей
- ГОСТ 26239.6-84 Кремний четыреххлористый. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана
- ГОСТ 26239.7-84 Кремний полупроводниковый. Метод определения кислорода, углерода и азота
- ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния
- ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции. Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей
- ГОСТ Р 71334-2024 Структуры эпитаксиальные. Метод измерения толщины эпитаксиальных слоев кремния в структурах типа кремний на сапфире на основе инфракрасной интерференции
- ГОСТ Р 71380-2024 Пластины полупроводниковые и диэлектрические. Метод контроля закругленности края
- ГОСТ Р 71422-2024 Структуры эпитаксиальные и пленки диэлектрические. Метод измерения толщины эпитаксиальных слоев арсенида галлия на основе сферического шлифа
- ГОСТ Р 71645-2024 Кремний полупроводниковый. Метод измерения концентрации примесей
- Проект ГОСТ Кремний кристаллический. Общие технические условия
- Проект ГОСТ Р Микросхемы интегральные. Аналого-цифровые преобразователи. Методы измерения времени преобразования
| |